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等離子去膠機的選擇要素可分為以下幾點

等離子去膠機是半導體、電子制造及材料科學領域中用于去除表面有機殘留(如光刻膠、聚合物)的關鍵設備,其核心原理是通過等離子體中的活性粒子與材料表面發生化學反應或物理轟擊,實現高效、無損傷的清潔。選擇合適的設備需綜合評估處理需求、樣品特性、操作效率及長期使用成本,以下從核心要素展開分析。一、明確處理需求與目標等離子去膠機的選擇依據是處理對象的特性與目標。用戶需先明確以下問題:污染物類型:若需去除光刻膠、抗反射層等有機物,需選擇氧等離子體設備,其活性氧離子可高效分解碳鏈結構;若為金...

  • 2023

    3-9

    等離子體處理對于聚丙烯微流控芯片粘接強度的影響聚丙烯(Polypropylene,PP)材料是一種熱塑性半結晶塑料,其具有價格低廉、易于加工成型以及生物兼容性良好等優點,因此PP可以被用于微流控芯片的加工制作。微流控芯片是將通道、反應池等功能模塊集成在微米尺度的一種微流體操作平臺。等離子體處理是利用等離子體中的高能態粒子打斷聚合物表面的共價鍵,等離子體中的自由基則與斷開的共價鍵結合形成極性基團,從而提高了聚合物表面活性。于此同時,等離子體對高分子聚合物表面存在物理刻蝕作用,導...

  • 2023

    3-1

    單層MoS2光電探測器的制備和性能調控二維過渡金屬硫化物(2D-TMDS)材料(如M0S2、WS2、SnS2NbS2)具有優異的光學、電學、光電學、力學等性能,材料厚度為0.1?Inm,具有理想的半導體帶隙(1.5-2.1eV),以及強烈的光-物質相互作用,成為下一代微型、高靈敏度、高穩定、透明性的光電探測器的理想材料。對單層MoS2光電探測器進行氧等離子處理,氧等離子處理工藝是:將制備出的單層MoS2光電探測器放置于低溫氧等離子環境中,氧等離子體機的放電功率均設置為10W,...

  • 2023

    3-1

    TiO2/二維(ReS2,GeTe)薄膜異質結光催化劑制備及光電催化性能研究PLUTO-T型等離子清洗機適合在大學實驗室和研究機構使用的實驗室桌面型等離子清洗機。性能穩定,操作方便,參數響應反饋及時,深得科研人員的喜愛和贊同。浙江大學客戶使用PLUTO-T型等離子清洗機發表了論文。(1)采取球磨與超聲液相輔助剝離法制備二維層狀ReS2納米片,所制得的納米片尺寸約為200nm,厚度小于10nm。通過滴涂法工藝在一維TiO2垂直納米棒(NRs)陣列薄膜上涂覆ReS2納米片制備Ti...

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